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DMN2114SN
5
T A = 25°C
4
3.5
4
3V, 3.5V, 4V, 5V
3.0V
3
V DS = 10V
3
2.5V
2.5
T A = 125°C
2
2
2.0V
1.5
T A = 25°C
1
1
0
V GS = 1.5V
0.5
0
T A = -55°C
0
0.5 1 1.5 2 2.5
3
0
0.5 1 1.5 2 2.5
3
0.3
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 1 Typical Output Characteristics
1
V GS , GATE-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 2 Typical Transfer Characteristics
T J = 25°C
0.25
0.2
0.15
0.1
0.05
0
I D = 0.5A
I D = 1.0A
0.1
0.01
2.5V
4.5V
0
2
4 6 8
10
0
1 2 3
4
0.3
V GS , GATE-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 3 On-Resistance vs. Gate Voltage
1.4
I D , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 4 On-Resistance vs. Drain Current
0.25
1.2
V DS = 10V
I D = 1mA
0.2
0.15
0.1
0.05
0
V GS = 2.5V
V GS = 4.5V
I D = 1.0A
I D = 0.5A
I D = 0.5A, 1A
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
-50
0 50 100
150
-50
0 50 100 150
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 5 On-Resistance Variation with Temperature
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 6 Gate Threshold Voltage vs. Temperature
DMN2114SN
Document number: DS30829 Rev. 5 - 2
2 of 4
www.diodes.com
August 2011
? Diodes Incorporated
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